Samsung comienza la producción de la tercera generación DDR4 DRAM 10nm-class

21 de Marzo de 2019
La compañía coreana lanzará al mercado las innovadoras tarjetas en la segunda parte del año

La empresa coreana Samumsung Electronics, anunció el desarrollo de su tercera generación de tarjetas de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM DDR4) de 10 nanómetros (1z-mn) y 8 gigabits, características que se verán por primera vez en la industria.

Samsung intenta cubrir una demanda creciente de los mercados con su nueva DDR4 DRAM, que incrementa en un 20% la productividad de su manufacturación, en comparación a la versión previa.



"Nuestro compromiso de atravesar los grandes desafíos en materia tecnológica nos condujo siempre hacia mayores innovaciones. Estamos satisfechos de haber sentado las bases de nuevo para una producción estable de DRAM que garanticen las mejores performances", declaró Jung-bae Lee, vicepresidente ejecutivo del sector de productos y tecnologías DRAM.

La producción masiva de 1z-nm 8Gb DDR4 comenzará durante la segunda parte de este año para acomodarse a las innovaciones tecnológicas que serán lanzadas en el 2020 por empresarios y compañías.

"Mientras fabricamos nuestra línea de DRAM 1z-nm, Samsung apunta a apoyar a sus clientes globales en el despliegue de sus últimas innovaciones al tiempo que permitimos la proliferación de un mercado premium para las tarjetas de memoria", concluyó Lee.


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